Na indústria de semicondutores, a inspeção de wafers é um elo fundamental para garantir a qualidade e o desempenho do chip, e a precisão e a estabilidade da mesa de inspeção desempenham um papel decisivo nos resultados da detecção. A base de granito, com suas características únicas, torna-se a escolha ideal para a mesa de inspeção de wafers semicondutores, oferecendo a você a análise multidimensional a seguir.
Primeiro, a dimensão da garantia de precisão
1. Planicidade e retilinidade ultra-altas: A base de granito é processada por tecnologia avançada de processamento, com planicidade que pode atingir ±0,001 mm/m ou até mesmo uma precisão maior, além de excelente retilinidade. No processo de inspeção de wafers, o plano de alta precisão fornece suporte estável para o wafer e garante um contato preciso entre a sonda do equipamento de inspeção e as juntas de solda na superfície do wafer.
2. Coeficiente de expansão térmica muito baixo: a fabricação de semicondutores é sensível a mudanças de temperatura, e o coeficiente de expansão térmica do granito é extremamente baixo, geralmente em torno de 5 × 10⁻⁶/℃. Quando a plataforma de detecção está em operação, mesmo que a temperatura ambiente flutue, o tamanho da base de granito muda muito pouco. Por exemplo, em uma oficina de alta temperatura no verão, a temperatura da plataforma de detecção de base metálica comum pode causar deslocamento da posição relativa do wafer e do equipamento de detecção, afetando a precisão da detecção. A plataforma de detecção de base de granito pode manter a estabilidade, garantir a precisão da posição relativa do wafer e do equipamento de detecção durante o processo de detecção e fornecer um ambiente estável para detecção de alta precisão.
Segundo, a dimensão da estabilidade
1. Estrutura estável e resistente à vibração: Após milhões de anos de processos geológicos, o granito apresenta uma estrutura interna densa e uniforme. No ambiente complexo de uma fábrica de semicondutores, a vibração gerada pela operação de equipamentos periféricos e pela movimentação de pessoas é efetivamente atenuada pela base de granito.
2. Precisão de uso a longo prazo: em comparação com outros materiais, o granito possui alta dureza, forte resistência ao desgaste e dureza Mohs de 6 a 7. A superfície da base de granito não se desgasta facilmente durante as frequentes operações de carga, descarga e inspeção de wafers. De acordo com as estatísticas de uso real dos dados, o uso da mesa de teste da base de granito, com operação contínua após 5000 horas, mantém a precisão de planicidade e retilinidade em mais de 98% da precisão inicial, reduzindo o desgaste da base causado por calibrações e manutenções regulares, reduzindo os custos operacionais e garantindo a estabilidade a longo prazo do trabalho de teste.
Terceira dimensão, limpa e anti-interferência
1. Baixa geração de poeira: o ambiente de fabricação de semicondutores precisa ser extremamente limpo, e o próprio material de granito é estável e não produz facilmente partículas de poeira. Durante a operação da plataforma de teste, evita-se que a poeira gerada pela base contamine o wafer, reduzindo o risco de curto-circuito e circuito aberto causados por partículas de poeira. Na área de inspeção de wafers da oficina livre de poeira, a concentração de poeira ao redor da mesa de inspeção da base de granito é sempre controlada a um nível extremamente baixo, atendendo aos rigorosos requisitos de limpeza da indústria de semicondutores.
2. Sem interferência magnética: o equipamento de detecção é sensível ao ambiente eletromagnético, e o granito é um material não magnético, o que não interfere no sinal eletrônico do equipamento de detecção. Na detecção por feixe de elétrons e outras tecnologias de teste que exigem um ambiente eletromagnético extremamente alto, a base de granito garante a transmissão estável do sinal eletrônico do equipamento de detecção e a precisão dos resultados do teste. Por exemplo, quando o wafer é testado para desempenho elétrico de alta precisão, a base de granito não magnética evita interferência nos sinais de corrente e tensão de detecção, de modo que os dados de detecção reflitam verdadeiramente as características elétricas do wafer.
Horário da publicação: 31/03/2025